2024年3月19日,SK海力士今天宣告,公司首先成功量产超高功能用于AI的存储器新产品HBM3E*,将在3月末开端向客户供货。这是公司上一年8月宣告开发完结HBM3E后,仅隔7个月获得的效果。
SK海力士表明,“继HBM3,公司完成了全球初次向客户供给现有DRAM最高功能的HBM3E。将经过成功HBM3E的量产,稳固在用于AI的存储器市场上的竞赛优势。”
为了完成一个需求快速处理很多数据的AI体系,芯片封装有必要以多重衔接(Multi-connection)多个人工智能处理器和存储器的方法来进行构建。因而,近期对AI扩展出资的全球大型科技公司继续进步对AI芯片功能的要求。SK海力士深信,HBM3E将成为可满意这些要求的现有最佳产品。
HBM3E不只满意了用于AI的存储器必备的速度标准,也在散热等一切方面都达到了全球顶配水平。此产品在速度方面,最高每秒能处理1.18TB(太字节)的数据,其相当于在1秒内可处理230部全高清(Full-HD,FHD)级电影。
并且,因为用于AI的存储器有必要以极快的速度操作,因而重点是有用的散热功能。为此,公司在新产品上适用Advanced MR-MUF**技能,散热功能与前一代比较提高了10%。
SK海力士HBM事务担任副社长柳成洙表明,“公司经过全球初次HBM3E投入量产,进一步强化了抢先用于AI的存储器业界的产品线”,还表明,“以至今堆集的HBM事务成功经验为根底,将进一步夯实与客户的联系,并稳固‘全方位人工智能存储器供给商’的位置。”
* HBM(High Bandwidth Memory):笔直衔接多个DRAM,与DRAM比较显着提高数据处理速度的高的附加价值、高功能产品。HBM DRAM产品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的次序开发。HBM3E是HBM3的扩展(Extended)版别
** MR-MUF:将半导体芯片堆叠后,为维护芯片和芯片之间的电路,在其空间中注入液体形状的维护资料,并进行固化的封装工艺技能。与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型资料的方法相较,工艺功率愈加高,散热方面也愈加有用。
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